DF005M - DF10M
分立功率&信号
技术
DF005M - DF10M
0.335 (8.509)
0.320 (8.128)
特点
•
•
•
浪涌过载评价： 50安培
高峰期。
玻璃钝化结。
低漏电。
0.022 (0.559)
0.018 (0.457)
0.075 (1.905)
0.055 (1.397)
0.255 (6.477)
0.245 (6.223)
+
0.350 (8.890)
0.300 (7.620)
0.315 (8.001)
0.285 (7.239)
LOW PROFILE参见网站
0.205 (5.207)
0.195 (4.953)
BODY - - 0.102 （ 2.591 ） *
0.095 (2.413)*
铅 - - 0.080 （ 2.032 ） **
0.050 (1.270)**
0.130 (3.302)*
0.120 (3.408)*
0.185 (4.699)**
0.150 (3.810)**
DIP
0.045 (1.143)
0.035 (0.889)
1.5安培桥式整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
平均整流电流
@ T
A
= 40°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境， **每腿
存储温度范围
工作结温
价值
1.5
单位
A
50
3.1
25
40
-55到+150
-55到+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在PCB与0.5× 0.5" （ 13 ×13毫米）。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
005M
01M
100
70
100
02M
200
140
200
04M
400
280
400
5.0
500
1.1
10
25
06M
600
420
600
08M
800
560
800
10M
1000
700
1000
50
35
50
单位
V
V
V
µA
µA
V
2
几秒钟之内
pF
反向重复峰值电压
最大RMS桥输入电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
最大反向漏电流
共有桥@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压降，
每个桥
@ 1.0 A
2
I T额定值融合
吨< 8.35毫秒
典型结电容，每腿
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
ã
1998年仙童半导体公司
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
