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BU508AFTBTU 参数 Datasheet PDF下载

BU508AFTBTU图片预览
型号: BU508AFTBTU
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内容描述: [Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN]
分类和应用: 晶体晶体管电视开关局域网
文件页数/大小: 4 页 / 52 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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BU508AF
BU508AF
电视机行输出的应用
1
TO-3PF
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN型三重扩散平面硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
*集电极电流(脉冲)
集电极耗散(T
C
=25°C)
结温
储存温度
参数
价值
1500
700
5
5
15
60
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
( SUS)的
BV
EBO
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
参数
*集电极发射极耐受电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
测试条件
I
C
= 100mA时我
B
= 0
I
E
= 10毫安,我
C
= 0
V
CE
= 1500V, V
BE
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 4.5A
I
C
= 4.5A ,我
B
= 2A
I
C
= 4.5A ,我
B
= 2A
2.25
1
1.5
V
V
分钟。
700
5
1
10
典型值。
马克斯。
单位
V
V
mA
mA
*脉冲测试: PW = 300μS ,占空比= 1.5 %脉冲
©2002仙童半导体公司
版本B , 2002年12月