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BSP52图片预览
型号: BSP52
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内容描述: NPN达林顿晶体管 [NPN Darlington Transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 39 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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BSP52
BSP52
NPN达林顿晶体管
•本设备是专为要求高的极端电流应用
争取在集电极电流为500mA的电流。
•从工艺03采购。
2
1
4
3
SOT-223
1.底座2.收藏家3.发射
绝对最大额定值*
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
工作和存储结温范围
价值
80
90
5
800
- 55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1 )这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2 )这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
参数
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 80V, V
BE
= 0
V
EB
= 4.0V ,我
C
= 0
I
C
= 150毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 500毫安,我
B
- 0.5毫安
1000
2000
1.3
1.9
V
V
分钟。
90
5
10
10
典型值。
马克斯。
单位
V
V
µA
µA
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基本特征
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到环境
马克斯。
1000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
©2002仙童半导体公司
版本A , 2002年6月