BD136/138/140
BD136/138/140
中功率线性和开关
应用
•补分别为BD135 ， BD137 BD139和
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
： BD136
： BD138
： BD140
： BD136
： BD138
： BD140
价值
- 45
- 60
- 80
- 45
- 60
- 80
-5
- 1.5
- 3.0
- 0.5
12.5
1.25
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BD136
： BD138
： BD140
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
测试条件
I
C
= - 30mA时我
B
= 0
分钟。
- 45
- 60
- 80
- 0.1
- 10
25
25
40
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
µA
µA
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
V
CB
= - 30V ，我
E
= 0
V
EB
= - 5V ，我
C
= 0
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 5毫安
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 0.5A
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 150毫安
I
C
= - 500毫安，我
B
= - 50毫安
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 0.5A
250
- 0.5
-1
V
V
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
*脉冲测试： PW = 350μS ，占空比= 2 ％脉冲
h
FE
Classificntion
分类
h
FE3
6
40 ~ 100
10
63 ~ 160
16
100 ~ 250
©2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
