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    BCV27 参数 Datasheet PDF下载

    BCV27图片预览
    型号： BCV27
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    内容描述： NPN达林顿晶体管 [NPN Darlington Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管达林顿晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 223 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BCV27的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BCV27的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BCV27的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BCV27的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BCV27的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BCV27的Datasheet PDF文件第7页  
    BCV27
    NPN达林顿晶体管
    （续）
    电气特性
    符号
    参数
    TA = 25° C除非另有说明
    测试条件
    民
    典型值
    最大单位
    开关特性
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    I
    C
    = 10 mA时，我
    B
    = 0
    I
    C
    = 10
    µA,
    I
    E
    = 0
    I
    E
    = 100 nA的，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = 30 V，I
    E
    = 0
    V
    EB
    = 10 V，I
    C
    = 0
    30
    40
    10
    0.1
    0.1
    V
    V
    V
    µA
    µA
    基本特征
    h
    FE
    直流电流增益
    I
    C
    = 1.0毫安， V
    CE
    = 5.0 V
    I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    = 5.0 V
    I
    C
    = 100毫安， V
    CE
    = 5.0 V
    I
    C
    = 100毫安，我
    B
    - 0.1毫安
    I
    C
    = 100毫安，我
    B
    - 0.1毫安
    4,000
    10,000
    20,000
    1.0
    1.5
    V
    V
    V
    CE（
    SAT
    )
    V
    BE （
    SAT
    )
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    小信号特性
    f
    T
    C
    C
    电流增益 - 带宽积
    集电极电容
    I
    C
    = 30 mA时， V
    CE
    = 5.0 V,
    F = 100 MHz的
    V
    CB
    = 30 V，I
    E
    = 0中，f = 1.0兆赫
    220
    3.5
    兆赫
    pF
    典型特征
    V
    CESAT
    - 集电极EMITTE ř电压（ V）
    h
    ˚F ê
    - 典型的脉冲电流增益（ K）
    典型的脉冲电流增益
    VS集电极电流
    250
    V
    CE
    = 5V
    200
    150
    25 °C
    125 °C
    集电极 - 发射极饱和
    电压Vs集电极电流
    1.6
    β
    = 1000
    1.2
    - 40 °C
    0.8
    25°C
    125 °C
    100
    50
    0
    0.001
    - 40 °C
    0.4
    0.01
    0.1
    I
    C
    - 集电极电流（ A）
    1
    0
    1
    10
    100
    I
    C
    - 集电极CURRE新台币（毫安）
    1000
    2
    1.6
    1.2
    0.8
    0.4
    0
    V
    BEON
    - BAS ê发射极电压（ V）
    V
    BESAT
    - 基本EMITTE ř电压（ V）
    基射极饱和
    电压Vs收集或电流
    β
    = 1000
    - 40 °C
    25 °C
    125 °C
    基极发射极电压ON VS
    集电极电流
    2
    1.6
    1.2
    125 °C
    - 40 °C
    25 °C
    0.8
    0.4
    0
    V
    CE
    = 5V
    1
    10
    100
    I
    C
    - 集电极CURRE新台币（毫安）
    1000
    1
    10
    100
    I
    C
    - 集电极CURRE新台币（毫安）
    1000

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