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BCP69 参数 Datasheet PDF下载

BCP69图片预览
型号: BCP69
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内容描述: PNP硅外延晶体管 [PNP Silicon Epitaxial Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 5 页 / 125 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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BCP69 PNP通用放大器
2007年1月
BCP69
PNP通用放大器
4
•本设备是专为通用中功率放大器
和交换机要求集电极电流为1.0A 。
•从工艺77采购。
1
3
2
SOT-223
1.底座2.收藏家3.发射
绝对最大额定值*
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
存储温度范围
- 连续
价值
-20
-30
-5.0
-1.5
150
- 55 ~ +150
单位
V
V
V
A
°C
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1 )这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2 )这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性*
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
P
D
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到环境
价值
1.0
8.0
125
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
*安装在FR-4电路板36毫米设备
×
18mm
×
1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
电气特性*
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
直流电流增益
测试条件
I
C
= -10mA ,我
B
= 0
I
C
= -1.0mA ,我
E
= 0
I
E
= -100μA ,我
C
= 0
V
CB
= -25V ,我
E
= 0
V
CB
= -25V ,我
E
= 0, T
j
= 150
o
C
V
EB
= -5.0V ,我
C
= 0
I
C
= -5mA ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -500mA ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -1.0A ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -1.0A ,我
B
= -100mA
I
C
= -1.0A ,V
CE
= -1.0V
V
CB
= -10V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
I
C
= -50mA ,V
CE
= -10V , F = 20MHz的
分钟。
-20
-30
-5.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
-100
-10
-100
50
85
60
375
-0.5
-1.0
30
2.5
nA
uA
nA
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
C
cb
h
fe
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
V
V
pF
*脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2.0%
©2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
BCP69版本B