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BC817 参数 Datasheet PDF下载

BC817图片预览
型号: BC817
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内容描述: NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 34 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BC817的Datasheet PDF文件第2页  
BC817/BC818
NPN外延硅晶体管
SOT-23
开关和放大器应用
适用于AF-驱动级和低功率输出级
补充BC807 / BC808
绝对最大额定值(T
A
=25°C)
°
特征
集电极发射极电压: BC817
: BC818
集电极发射极电压: BC817
: BC818
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
等级
50
30
45
25
5
800
310
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1.底座2.辐射源3.收藏家
电气特性(T
A
=25°C)
°
特征
集电极 - 发射极击穿电压
: BC817
: BC818
集电极 - 发射极击穿电压
: BC817
: BC818
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
符号
BV
首席执行官
测试条件
I
C
= 10毫安,我
B
=0
45
25
BV
CES
I
C
= 0.1毫安,我
B
=0
50
30
5
100
100
630
0.7
1.2
100
12
V
V
V
nA
nA
V
V
典型值
最大
单位
BV
EBO
I
CES
I
EBO
h
FE
1
h
FE
2
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
f
T
C
CBO
I
E
= 0.1毫安,我
C
=0
V
CE
= 25V ,我
B
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
CE
= 1V ,我
C
=300mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 1V ,我
C
=300mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
f=50MHz
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
100
60
V
V
兆赫
pF
h
FE
分类
分类
h
FE
1
h
FE
2
16
100-250
60-
25
160-400
100-
40
250-630
170-
标识代码
TYPE
记号
817-16
8FA
817-25
8FB
817-40
8FC
818-16
8GA
818-25
8GB
818-40
8GC
版本B
©
1999仙童半导体公司