分立电源和信号
技术
BAV23S
高压通用二极管
P
D
. . . .350
毫瓦@ T
A
= 25℃
B
V
. . . .250
V （M
IN
) @ I
R
= 100微安
T
RR
. . .
50纳秒@我
F
=I
R
= 30毫安我
RR
= 3.0毫安
绝对最大额定值
（注1 ）
温度
储存温度
工作结温
功耗
（注2和3 ）
在TA器件总功耗= 25℃
每摄氏度降额因子
电压& CURRENTS
V
RRM
反向重复峰值电压
（单个设备）
V
RRM
反向重复峰值电压
（串联）
V
RWM
连续峰值反向电压
（单个设备）
V
RWM
连续峰值反向电压
（串联）
IO
平均整流电流
IF
直流正向电流
if
经常性峰值正向电流
如果（浪涌）峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0微秒
脉冲宽度= 100微秒
脉冲宽度= 10毫秒
150℃
150℃
350毫瓦
2.8毫瓦
250 V
500 V
200 V
400 V
200毫安
400毫安
700毫安
9.0 A
3.0 A
1.7 A
1
3
L30
1
2
包
TO- 236AB （低）
(SOT-23)
连接图
3
2
电气特性
（ 25℃环境温度，除非另有说明）
符号
B
V
I
R
特征
击穿电压
反向电流（单个设备）
反向电流（串联）
民
250
最大
单位
V
测试条件
I
R
=
V
R
=
V
R
=
V
R
=
V
R
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
100微安
200 V
200 V
400 V
400 V
百毫安
200毫安
百毫安
200毫安
100
100
100
100
1.00
1.25
2.00
2.50
50
nA
uA
nA
uA
V
V
V
V
nS
T
A
= 150摄氏度
T
A
= 150摄氏度
V
F
正向电压（单个装置）
正向电压（串联）
T
RR
反向恢复时间
I
F
= I
R
= 30毫安
I
RR
= 3.0毫安
R
L
= 100欧姆
注意事项：
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3.这些等级给予150 ℃的最高结温结到环境的357 ℃的热电阻
每瓦。 （降额每摄氏度2.8毫瓦的因素）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
