6N135/6N136
威世半导体
电流传输比
参数
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 16 mA时， V
O
= 0.5 V,
V
CC
= 4.5 V
部分
6N135
6N136
6N135
6N136
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
7
19
5
15
典型值。
16
35
马克斯。
单位
%
%
%
%
高速光耦， 1万桶，
Phtotdiode与晶体管输出
电流传输比
开关特性
参数
前高后低
从低到高
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
部分
6N135
6N136
6N135
6N136
符号
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
分钟。
典型值。
0.3
0.2
0.3
0.2
马克斯。
1.5
0.8
1.5
0.8
单位
µs
µs
µs
µs
共模瞬态抗扰度
参数
高
低
测试条件
I
F
= 0 mA时，V
CM
= 10 V
P-P
, V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 0 mA时，V
CM
= 10 V
P-P
, V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CM
= 10 V
P-P
, V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.1 kΩ
I
F
= 16 mA时， V
CM
= 10 V
P-P
, V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.9 kΩ
部分
6N135
6N136
6N135
6N136
符号
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
分钟。
典型值。
1000
1000
1000
1000
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
标准DIP - 8
标准DIP - 8
400万DIP- 8
400万DIP- 8
7
7
8
8
CTI
175
8000
890
500
300
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于仅在安全评级"safe电气insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83604
修订版1.5 ， 07- 08年5月
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
