4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33通用6引脚光电复合光耦
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
参数
辐射源
V
F
I
R
C
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
h
FE
输入正向电压*
反向漏电流*
电容*
I
F
= 10毫安
V
R
= 3.0V
V
F
= 0V ， F = 1.0MHz的
–
–
–
30
30
5.0
–
–
1.2
0.001
150
60
100
8
1
5000
1.5
100
–
–
–
–
100
–
V
µA
pF
V
V
V
nA
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
探测器
集电极 - 发射极击穿电压* I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压*
集电极 - 发射极暗电流*
直流电流增益
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，基地开放
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 500µA
发射极 - 集电极击穿电压* I
E
= 100μA ，我
B
= 0
传输特性
符号
参数
DC特性
I
C（ CTR ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极输出电流*
(1, 2)
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V ，我
B
= 0
4N32, 4N33
4N29, 4N30
4N31
50 (500)
10 (100)
5 (50)
I
F
= 8毫安，我
C
= 2.0毫安
–
–
I
F
=的200mA，我
C
= 50mA时
V
CC
= 10V
I
F
=的200mA，我
C
= 50mA时
V
CC
= 10V
–
–
–
–
1.0
1.2
5.0
µS
V
–
–
–
–
–
–
MA（ ％ ）
V
CE （ SAT ）
饱和电压*
(2)
4N29, 4N30, 4N32, 4N33
4N31
AC特性
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
4N32, 4N33
4N29, 4N30, 4N31
BW
带宽
(3, 4)
–
–
–
–
–
30
100
40
–
µS
千赫
隔离特性
符号
V
ISO
特征
输入输出隔离电压
(5)
4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33
4N32*
4N33*
测试条件
I
我-O
≤
1μA ， Vrms的，T = 1分。
VDC
VDC
分钟。
5300
2500
1500
–
–
典型值。
–
–
–
10
11
0.8
马克斯。
–
–
–
–
–
单位
VAC （ RMS）
V
Ω
pF
R
ISO
C
ISO
隔离
隔离
阻力
(5)
电容
(5)
V
我-O
= 500V直流
V
我-O
= O，F = 1MHz的
注意事项：
*表示JEDEC注册的数据。
1.电流传输比（I
C
/I
F
）是检测器的集电极电流给LED的输入电流与V中的比率
CE
@ 10V.
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0% .
4. I
F
调整到我
C
= 2.0毫安我
C
= 0.7毫安有效值。
5.频率在我
C
为3dB从1kHz的价值下降。
6.对于这个测试， LED引脚1和2是常见的，并且光电晶体管的引脚4 ， 5和6是常见的。
©2006仙童半导体公司
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
3
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
