1995年11月
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些N沟道增强型场效应晶体管
采用飞兆半导体专有的,高密度的生产,
DMOS技术。这些产品已被设计成
最大限度地减少通态电阻,同时提供坚固,可靠,
和快速开关性能。它们可以在大多数使用
需要高达400mA的DC ,并且可以提供应用程序
脉冲电流高达2A 。这些产品特别
适用于低电压,低电流的应用,如小
伺服电机控制,功率MOSFET栅极驱动器,以及其他
开关应用。
特点
高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
电压控制的小信号开关。
坚固可靠。
高饱和电流能力。
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D
G
D
G
S
TO-92
S
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
2N7000
2N7002
NDS7002A
单位
V
DSS
漏源电压
60
60
V
V
V
V
DGR
V
GSS
漏,栅极电压(R
GS
& LT ; 1M的
Ω
)
栅源电压 - 连续
- 不重复( TP & LT ;为50μs )
±
20
±
40
200
500
400
3.2
-55到150
300
115
800
200
1.6
280
1500
300
2.4
-65到150
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
上述25降额
o
C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 16"分之1案件从10秒
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
热特性
R
θ
JA
热阻,结到环境
312.5
625
417
° C / W
©1997仙童半导体公司
2N7000.SAM牧师A1