2N5551 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N5551
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内容描述：	NPN通用放大器 [NPN General Purpose Amplifier]
分类和应用：	晶体放大器晶体管
文件页数/大小：	12 页 / 501 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

2N5551 / MMBT5551

NPN通用放大器

（续）

典型特征

CESAT

- 集电极发射极电压（V ）

- 典型的脉冲电流增益

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

250

VCE = 5V

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.5

0.4

0.3

25 °C

200

150

125 °C

= 10

25 °C

100

- 40 °C

0.2

125 ºC

0.1 0.2

0.1

- 40 ºC

0.5 1

5 10 20

50 100

- 集电极电流（毫安）

100

- 集电极电流（毫安）

P 16

200

0.8

0.6

0.4

0.2

= 10

BEON

- 基极发射极电压（ V）

BESAT

- 基极发射极电压（ V）

基射极饱和

电压Vs集电极电流

- 40 ºC

25 °C

125 ºC

基极发射极电压ON VS

集电极电流

0.8

0.6

125 ºC

- 40 ºC

25 °C

0.4

0.2

0.1

= 5V

100

- 集电极电流（毫安）

200

- 集电极电流（毫安）

100 200

集电极截止电流

- 环境温度

CBO

- 集电极电流（ NA）

= 100V

CER

- 击穿电压（ V）

集电极 - 发射极击穿

电压与电阻

发射基之间

260

= 1.0毫安

240

220

200

180

160

0.1

100

- 环境温度（ º C）

125

100

1000

电阻（K

Ω

)

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