2N3906 / MMBT3906 / PZT3906
PNP通用放大器
（续）
典型特征
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
h
˚F ê
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
250
V
CE
= 1 .0V
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
125°C
25 °C
β
= 10
200
150
25 °C
100
- 40 °C
0.05
0
- 40 °C
50
0.1
0.2
0.5 1
2
5
10 20
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
50
100
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
200
V
BE （ON）的
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基本EM ITTE ř电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
0.8
25 °C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
- 40 °C
β
= 10
- 40 °C
0.6
0.4
0.2
0
125 °C
0.6
0.4
0.2
0
0.1
25 °C
125 °C
V
CE
= 1V
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
200
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
25
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
100
V
10
CB
共基极开路
输入和输出电容
VS反向偏置电压
10
ç敖包
= 25V
电容（pF）
8
6
4
2
0
0.1
ç IBO
1
0.1
0.01
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
125
1
反向偏置电压（V）的
10
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
