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    FQPF8N60C 参数 Datasheet PDF下载

    FQPF8N60C图片预览
    型号： FQPF8N60C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 928 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FQPF8N60C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQPF8N60C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQPF8N60C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQPF8N60C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQPF8N60C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQPF8N60C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FQPF8N60C的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FQPF8N60C的Datasheet PDF文件第10页  
    FQP8N60C/FQPF8N60C
    Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
    DUT
    +
    V
    DS
    _
    I
    SD
    L
    Driver
    R
    G
    Same Type
    as DUT
    V
    DD
    V
    GS
    • dv/dt controlled by R
    G
    • I
    SD
    controlled by pulse period
    V
    GS
    ( Driver )
    Gate Pulse Width
    D = --------------------------
    Gate Pulse Period
    10V
    I
    FM
    , Body Diode Forward Current
    I
    SD
    ( DUT )
    I
    RM
    di/dt
    Body Diode Reverse Current
    V
    DS
    ( DUT )
    Body Diode Recovery dv/dt
    V
    SD
    V
    DD
    Body Diode
    Forward Voltage Drop
    ©2004 Fairchild Semiconductor Corporation
    Rev. B, March 2004

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