欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FDS8958A 参数 Datasheet PDF下载

FDS8958A图片预览
型号: FDS8958A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小: 11 页 / 285 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第9页  
FDS8958A
Typical Characteristics: Q1
10
I
D
=7A
8
15V
6
V
DS
= 5V
10V
1200
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
900
C
ISS
600
4
300
2
C
OSS
C
RSS
0
0
4
8
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
12
16
0
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
R
DS(ON)
LIMIT
100
µ
s
1ms
10ms
100ms
1
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135 C/W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
0
o
o
Figure 8. Capacitance Characteristics.
50
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
40
10
30
1s
10s
DC
20
0.1
10
0.001
0.01
0.1
1
t
1
, TIME (sec)
10
100
1000
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
FDS8958A Rev D(W)