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型号: FDS8958B
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内容描述: 双N和P沟道PowerTrench ? MOSFET Q1 - N通道: 30 V , 6.4 A, 26 mΩ的Q2- P通道: -30 V, -4.5 A, 51毫欧 [Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-Channel: 30 V, 6.4 A, 26 mΩ Q2-P-Channel: -30 V, -4.5 A, 51 mΩ]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 433 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS8958B Dual N & P-Channel PowerTrench
®
MOSFET
Typical Characteristics (Q1 N-Channel)
T
J
= 25 °C unless otherwise noted
2
1
NORMALIZED THERMAL
IMPEDANCE, Z
θ
JA
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.01
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135 C/W
o
t
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θJA
x R
θJA
+ T
A
0.001
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 12. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8958B Rev.B
6
www.fairchildsemi.com