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    FDS8960C_0511 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8960C_0511图片预览
    型号： FDS8960C_0511
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N和P沟道MOSFET PowerTrench㈢ [Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 157 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8960C_0511的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8960C_0511的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8960C_0511的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8960C_0511的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8960C_0511的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8960C_0511的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8960C_0511的Datasheet PDF文件第7页  
    FDS8960C Dual N & P-Channel PowerTrench
    ®
    MOSFET
    Typical Characteristics
    r(t), NORMALIZED EFFECTIVE
    TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
    1
    D = 0.5
    0.2
    R
    θ
    JA
    (t) = r(t) * R
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    = 135 C/W
    P(pk)
    t
    1
    t
    2
    SINGLE PULSE
    o
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.01
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    JA
    (t)
    Duty Cycle, D = t
    1
    / t
    2
    0.01
    0.1
    t
    1
    , TIME (sec)
    1
    10
    100
    1000
    0.001
    0.0001
    0.001
    Figure 25. Transient Thermal Response Curve.
    Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
    FDS8960C Rev C1(W)
    www.fairchildsemi.com

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