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    1N4150.TR 参数 Datasheet PDF下载

    1N4150.TR图片预览
    型号： 1N4150.TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,]
    分类和应用： 二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 28 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号1N4150.TR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N4150.TR的Datasheet PDF文件第3页  
    1N4150 / FDLL4150
    High Conductance Ultra Fast Diode
    (continued)
    Electrical Characteristics
    Symbol
    B
    V
    I
    R
    V
    F
    TA = 25°C unless otherwise noted
    Parameter
    Breakdown Voltage
    Reverse Current
    Forward Voltage
    Test Conditions
    I
    R
    = 5.0
    µA
    V
    R
    = 50 V
    V
    R
    = 50 V, T
    A
    = 150°C
    I
    F
    = 1.0 mA
    I
    F
    = 10 mA
    I
    F
    = 50 mA
    I
    F
    = 100 mA
    I
    F
    = 200 mA
    V
    R
    = 0, f = 1.0 MHz
    I
    F
    = I
    R
    = 10 mA-200 mA, R
    L
    = 100Ω
    I
    F
    = I
    R
    =200 mA-400 mA,R
    L
    = 100Ω
    I
    F
    = 200 mA, V
    FR
    = 1.0 V
    Min
    75
    Max
    100
    100
    620
    740
    860
    920
    1.0
    2.5
    4.0
    6.0
    10
    Units
    V
    nA
    µA
    mV
    mV
    mV
    mV
    V
    pF
    nS
    nS
    nS
    540
    660
    760
    820
    0.87
    C
    O
    T
    RR
    T
    FR
    Diode Capacitance
    Reverse Recovery Time
    Forward Recovery Time

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