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ES29F800E-90RWCI 参数 Datasheet PDF下载

ES29F800E-90RWCI图片预览
型号: ES29F800E-90RWCI
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内容描述: 为4Mbit ( 512Kx 8 / 256K ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 [4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 51 页 / 679 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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E S I  
E S I  
Excel Semiconductor inc.  
AC CHARACTERISTICS  
Table 14. Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations  
Parameter  
Description  
70  
90  
Unit  
JEDEC  
tAVAV  
Std.  
tWC  
tAS  
Write Cycle Time( Note 1)  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
70  
90  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tAVWL  
tELAX  
tDVEH  
tEHDX  
tGHEL  
tWLEL  
tEHWH  
tELEH  
tELEL  
0
tAH  
45  
tDS  
35  
45  
tDH  
Data Hold Time  
0
0
tGHEL  
tWS  
tWH  
tCP  
Read Recovery Time Before Write (OE# High to WE# Low)  
WE# Setup Time  
WE# Hold Time  
CE# Pulse Width  
CE# Pulse Width High  
Byte  
0
0
35  
30  
tCPH  
Typ  
Typ  
Typ  
6
8
tWHWH1  
tWHWH2  
tWHWH1  
tWHWH2  
Programming Operation (Note 2)  
us  
Word  
Sector Erase Operation (Note 2)  
0.7  
sec  
Notes :  
1. Not 100% tested  
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.  
39  
Rev.0B January 5, 2006  
ES29LV400E  
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