Excelics
数据表
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典型0.8分贝的噪声系数和相关的11.0分贝
增益为12 GHz
0.3 X 250微米嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布现状提供
超低噪声，高增益和高
可靠性
IDSS排序5毫安PER BIN范围
O
EPB025A
低噪声高增益异质结场效应管
420
50
104
D
D
48
260
40
S
G
G
S
90
59
50 78
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
NF
Ga
P
1dB
G
1dB
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
噪声系数
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
相关的增益
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
在1dB压缩输出功率
VDS = 3V ，IDS = 25毫安
增益1dB压缩
VDS = 3V ，IDS = 25毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
F = 12GHz的
F = 12GHz的
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
典型值
0.80
最大
1.0
单位
dB
dB
DBM
dB
10.0
11.0
15.0
15.0
13.0
11.0
VDS = 2V ， VGS = 0V
VDS = 2V ， VGS = 0V
VDS = 2V ，IDS = 1.0毫安
20
50
50
80
-1.0
80
mA
mS
-2.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD =为10uA
源极击穿电压的Ig =为10uA
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-3
-3
-5
-5
155
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
5V
3V
VDS
栅源电压
-3V
-3V
VGS
漏电流
IDSS
IDSS
IDS
正向栅电流
2mA
0.3mA
Igsf
输入功率
12dBm
@ 1dB压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
880mW
730mW
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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