EPA680A/EPA680AV
已更新2006年5月2日
高效异质结功率FET
1320
60
231
D
D
D
D
48
特点
•
•
•
•
•
•
+ 36.5dBm典型输出功率
6.5分贝典型功率增益EPA680A
和8.0分贝FOR EPA680AV AT 12GHz的
0.4× 6800微米嵌入式“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化和镀HEAT SINK
先进的外延掺杂分布现状提供
高功率效率和可靠性
IDSS排序160毫安PER BIN范围
440
100
40
G
G
G
G
135
201
50
芯片厚度： 45
±
15微米
:
通孔
任何通过孔EPA680A
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
参数/测试条件
民
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
Vds=3V,Ids=20mA
Igd=6.8mA
Igs=6.8mA
-13
-7
35.5
5.5
典型值
36.5
6.5
33
1250
1360
2050
2150
-1.0
-15
-14
6
注意！ ESD敏感器件。
EPA680A
最大
民
35.5
7
EPA680AV
单位
典型值
36.5
8
36
2690
1250
1360
-2.5
-13
-7
2050
2150
-1.0
-15
-14
5.5
o
最大
DBM
dB
%
2690
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
Igsf
Igsr
针
总胆固醇
TSTG
Pt
注意：
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
储备栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
EPA680A
绝对
1
12V
-5V
30.6毫安
-5.1毫安
33.5 dBm的
o
175 C
o
-65/175 C
23 W
连续
2
8V
-3V
10.2毫安
-1.7毫安
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65/175
o
C
23 W
12V
-5V
30.6毫安
-5.1毫安
33.5 dBm的
175
o
C
-65/175
o
C
25 W
EPA680AV
绝对
1
连续
2
8V
-3V
10.2毫安
-1.7毫安
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65/175
o
C
25 W
1.超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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修订2006年5月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
