EPA480B/EPA480BV
更新时间： 2007年9月27日
高效异质结功率FET
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+ 35.5dBm典型输出功率
7.5分贝典型功率增益EPA480B和
9.0分贝FOR EPA480BV AT 12GHz的
0.3X 4800 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
EPA480BV带通孔源极接地
IDSS排序120毫安PER BIN范围
芯片厚度： 45
±
13微米
以微米所有尺寸
任何通过孔EPA480B
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
民
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
34.0
6.0
EPA480B
典型值
35.5
7.5
EPA480BV
民
34.0
7.5
单位
最大
典型值
35.5
35.5
9.0
最大
DBM
dB
%
1880
mA
mS
-2.5
V
V
V
o
f=12GHz
880
960
40
1440
1520
-1.0
-13
-7
-15
-14
10
-2.5
-13
-7
1880
880
960
45
1440
1520
-1.0
-15
-14
8
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 14毫安
Igd=4.8mA
Igs=4.8mA
漏极耐压
源极击穿电压
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
EPA480B
绝对
1
12V
-8V
IDSS
240mA
33dBm
175 C
-65/175 C
o
o
EPA480BV
绝对
1
12V
-8V
IDSS
240mA
33dBm
175 C
-65/175 C
17W
o
o
连续
2
8V
-3V
1.4A
40mA
@ 3分贝压缩
150 C
-65/150 C
o
o
连续
2
8V
-3V
1.75A
40mA
@ 3分贝压缩
150 C
-65/150 C
14W
o
o
Pt
总功耗
14W
11W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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2007年9月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
