Excelics
数据表
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+ 33dBm的典型输出功率
20.0分贝典型功率增益为2GHz
0.4× 2400 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结
简介提供了额外的大功率
效率高，可靠性高
IDSS排序60毫安PER BIN范围
75
S
100
EPA240D
高效异质结功率FET
410
104
D
72
620
155
G
S
94
电气特性（T
a
= 25 C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
增益1dB压缩
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=2GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 6毫安
O
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
31.0
18.5
典型值
33.0
33.0
20.0
15.0
55
最大
单位
DBM
dB
%
440
480
720
760
-1.0
940
mA
mS
-2.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 2.4毫安
源极击穿电压的Ig = 2.4毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-11
-7
-15
-14
23
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
8V
VDS
栅源电压
-8V
-3V
VGS
漏电流
IDSS
620mA
IDS
正向栅电流
120mA
20mA
Igsf
输入功率
30dBm
@ 3分贝压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
6.0 W
5.0W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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