Excelics
数据表
特点
•
非密封的低成本陶瓷70mil包装
•
+ 26dBm的典型输出功率
•
9.0分贝典型功率增益在12GHz
•
0.4分贝典型噪声系数在2GHz
•
20分贝典型相关的增益在2 GHz
•
0.3× 600 MICRON嵌“蘑菇”门
•
Si
3
N
4
钝化
•
先进的外延异质结简介
提供了额外的高功率效率，
和高可靠性
EPA060B-70
高效异质结功率FET
'
??? 0LQ ？
6
6
*
应用
•
高动态范围低噪声放大器
•
直流到18 GHz的
所有尺寸在密耳。
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IP3
NF
G
A
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=2GHz
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
增益1dB压缩
f=2GHz
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
在1dB压缩功率附加效率
f=2GHz
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
+ 5dBm的P
OUT
/音（ 5V / 50毫安）
f=2GHz
(5V/90mA)
噪声系数（ 5V / 50毫安）
f=2GHz
(5V/90mA)
相关增益（ 5V / 50毫安）
f=2GHz
(5V/90mA)
饱和漏极电流VDS = 3V ， VGS = 0V
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 2.0毫安
-10
-6
民
24.0
17.0
7.0
典型值
26.0
25.5
19.0
9.0
55
45
28
31
0.4
0.6
20.0
20.0
180
190
-1.0
-15
-14
175
*
o
最大
单位
DBM
dB
%
DBM
dB
dB
110
120
250
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热阻
RTH
*整体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
绝对
1
10V
-6V
IDSS
30mA
23dBm
175 C
-65/175
o
C
o
连续
2
6V
-3V
110mA
5mA
@ 3分贝压缩
150
o
C
-65/150
o
C
650mW
总功耗
780mW
Pt
注： 1超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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