Excelics
数据表
•
•
•
•
•
•
•
EPA060A/EPA060AV
高效异质结功率FET
+ 26.5dBm典型输出功率
10.5分贝典型功率增益EPA060A和
11.5分贝FOR EPA060AV AT 18GHz的
0.3× 600 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
EPA060AV带通孔源极接地
IDSS排序15毫安PER BIN范围
芯片厚度： 75
±
20微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
参数/测试条件
民
在1dB压缩输出功率
P
1dB
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
G
1dB
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
105
120
45
180
190
-1.0
-11
-7
-15
-14
65
-2.5
255
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
11.5
25.0
:
通孔
任何通过孔EPA060A
EPA060AV
最大
民
25.0
典型值
26.5
26.5
12.0
13.5
11.5
dB
DBM
最大
单位
EPA060A
典型值
26.5
26.5
13.0
10.5
46
105
120
180
190
-1.0
-11
-7
-15
-14
50
o
%
255
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
饱和漏极电流VDS = 3V ， VGS = 0V
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 2.0毫安
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
参数
EPA060A
绝对
1
EPA060AV
2
连续
8V
-3V
220mA
5mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
1.7W
绝对
1
12V
-8V
IDSS
30mA
24dBm
175
o
C
-65/175
o
C
2.7W
连续
2
8V
-3V
IDSS
5mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
2.3W
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
12V
-8V
IDSS
30mA
24dBm
175
o
C
-65/175
o
C
2.1W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
