Excelics
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EPA040A/EPA040AV
数据表
高效异质结功率FET
+ 24.5dBm典型输出功率
11.0分贝典型功率增益EPA040A和
12.0分贝FOR EPA040AV AT 18GHz的
0.3× 400 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
EPA040AV带通孔源极接地
IDSS排序10毫安PER BIN范围
芯片厚度： 75
±
20微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
参数/测试条件
民
在1dB压缩输出功率
P
1dB
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
G
1dB
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
70
80
45
120
130
-1.0
-11
-7
-15
-14
105
-2.5
160
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
11.5
22.5
:
通孔
任何通过孔EPA040A
EPA040AV
最大
民
22.5
典型值
24.5
24.5
12.0
14.0
12.0
dB
DBM
最大
单位
EPA040A
典型值
24.5
24.5
13.5
11.0
46
70
80
120
130
-1.0
-11
-7
-15
-14
77
o
%
160
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
饱和漏极电流VDS = 3V ， VGS = 0V
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.0毫安
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
参数
EPA040A
绝对
1
EPA040AV
2
连续
8V
-3V
135mA
3mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
1.1W
绝对
1
12V
-8V
IDSS
20mA
21dBm
175
o
C
-65/175
o
C
1.8W
连续
2
8V
-3V
IDSS
3mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
1.5W
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
12V
-8V
IDSS
20mA
21dBm
175
o
C
-65/175
o
C
1.3W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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