Excelics
数据表
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+ 22.5dBm的典型输出功率
11.0分贝典型功率增益为18 GHz的
典型0.85分贝的噪声系数和相关的11.0分贝
增益为12 GHz
0.3 X 250微米嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结
简介提供了额外的大功率
效率高，可靠性高
IDSS排序5毫安PER BIN范围
'
6
EPA025A
高效异质结功率FET
'
*
*
6
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
Ga
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
噪声系数
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
相关的增益
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.0毫安
-11
-7
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=12GHz
f=12GHz
40
50
民
21.0
12.0
典型值
22.5
22.5
13.5
11.0
47
0.85
11.0
75
80
-1.0
-15
-14
155
o
最大
单位
DBM
dB
%
dB
dB
105
mA
mS
-2.5
V
V
V
C / W
漏极耐压IGD = 1.0毫安
源极击穿电压的Ig = 1.0毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
绝对
1
12V
-8V
IDSS
12mA
19dBm
175 C
-65/175
o
C
o
连续
2
8V
-3V
90mA
2mA
@ 3分贝压缩
150
o
C
-65/150
o
C
总功耗
880mW
730mW
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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