EID1415A1-12
已更新07/12/2007
14.40-15.35 GHz的12瓦内部匹配功率FET
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
15V
-5V
135
-21
40dBm
o
175 C
o
-65到+175 ç
绝对最大额定值
1,2
符号
连续
2
10V
-4.5V
45mA
-7
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65到+175
o
C
60W
VDS
VGS
Igsf
Igsr
针
总胆固醇
TSTG
Pt
60W
注意事项：
1.操作设备超出上述任何收视率可能会导致永久性的损坏或减少MTTF的。
2.偏置条件也必须满足下面的等式P
T
< （T
CH
–T
PKG
)/R
TH
;其中t
PKG
包=温度，而P
T
= (V
DS
* I
DS
) – (P
OUT
– P
IN
).
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
3200mA
S11和S22
6
0.
SWP最大
16.5GHz
2.
0
1.0
20
S21和S12
-1.0
-0.8
0.8
-0
.6
-3
.0
0
4.
2
-0.
5.0
S21和S12 （ dB）的
-4
.0
-5.
0
-10.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0.
-
-0
.6
S[2,2] *
EID1415_12
-0.8
.0
-2
-1.0
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
13.50
13.75
14.00
14.25
14.50
14.75
15.00
15.25
15.50
15.75
16.00
0.775
0.717
0.635
0.524
0.378
0.229
0.106
0.085
0.151
0.200
0.222
11.290
-5.020
-23.800
-45.990
-72.060
-103.790
-153.980
102.660
47.090
10.580
-23.750
-3
.0
S[1,1] *
4
EID1415_12
0.
2.
0
4
SWP敏
13.5GHz
-4
.0
-5.
0
0
3.
0
4.
5.0
-0.
2
-10.0
-0
.0
-2
.4
0.
4
0
3.
0
10.0
DB （ | S [ 2,1 ] | ） *
EID1415_12
DB（ | S [1,2] | ） *
EID1415_12
0.2
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10.0
-20
0.2
-40
14
14.5
15
15.5
16
6
0.
频率（GHz ）
0.8
1.0
--- S21 ---
MAG
昂
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
1.415
1.579
1.786
1.985
2.140
2.226
2.248
2.199
2.140
2.054
1.955
9.610
-10.630
-33.500
-58.350
-85.100
-112.700
-140.510
-167.310
166.000
139.280
112.660
0.025
0.028
0.033
0.039
0.044
0.047
0.051
0.050
0.046
0.043
0.039
35.410
6.450
-21.300
-52.540
-86.110
-117.710
-146.950
-178.820
150.110
117.830
77.460
0.521
0.492
0.453
0.407
0.346
0.273
0.210
0.171
0.183
0.232
0.303
102.860
87.150
69.220
49.100
25.420
-3.070
-37.440
-80.600
-129.030
-169.440
160.700
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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第2页4
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