EIC8596-8
已更新2007年8月21日
8.50-9.60GHz
8瓦内部匹配功率FET
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
S11和S22
0.
SWP最大
10GHz
2.
0
0.8
1.0
20
S21和S12
-1.0
-0.8
-0
6
.6
-3
.0
-10.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.4
.6
S[2,2] *
EIC8596-8
-0.8
0.8
0.
4
.0
-2
-0
-1.0
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
8.00
8.25
8.50
8.75
9.00
9.25
9.50
9.75
10.00
10.25
10.50
0.390
0.306
0.309
0.348
0.378
0.371
0.334
0.280
0.299
0.387
0.490
177.400
125.970
77.020
40.380
8.330
-22.220
-59.000
-109.930
-175.540
132.770
98.340
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
-3
.0
S[1,1] *
EIC8596-8
2.
0
SWP敏
8GHz
-4
.0
-5.
0
2
-0.
-10.0
2
-0.
-5.
0
5.0
S21和S12 （ dB）的
-4
0.2
.0
.4
-0
.0
-2
0.
4
0
3.
10
4.
0
10.0
0
DB （ | S [ 2,1 ] | ） *
EIC8596-8
DB（ | S [1,2] | ） *
EIC8596-8
-10
10.0
0
3.
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
4.
5.0
0
10.0
0.2
-20
-30
8
8.5
9
9.5
10
0.
6
频率（GHz ）
1.0
--- S21 ---
MAG
昂
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
3.255
3.195
3.052
2.957
2.917
2.884
2.897
2.793
2.528
2.112
1.672
-57.380
-88.570
-116.850
-144.300
-170.590
161.430
132.320
100.510
66.690
34.290
5.950
0.105
0.112
0.113
0.117
0.122
0.128
0.131
0.132
0.122
0.103
0.081
-114.220
-145.020
-173.180
161.600
135.400
108.950
81.650
49.430
16.320
-16.260
-45.080
0.514
0.527
0.507
0.459
0.393
0.328
0.287
0.327
0.462
0.614
0.713
78.300
51.750
31.300
12.160
-8.460
-38.080
-82.820
-140.430
172.730
140.720
117.810
第2页4
修订后的2007年10月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
