EIC7785-4
已更新2007年8月21日
7.70-8.50GHz
4瓦内部匹配功率FET
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
S11和S22
6
0.
SWP最大
8.7GHz
2.
0
1.0
20
S21和S12
0. 8
5. 0
0. 2
S21和S12 （ dB）的
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
.4
-0
-0 .8
S[2,2]
EIC7785-4
-1.0
.0
-2
-0
.6
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
7.5
7.6
7.7
7.8
7.9
8
8.1
8.2
8.3
8.4
8.5
8.6
8.7
0.6034
0.5516
0.4935
0.4264
0.3594
0.29
0.2323
0.1942
0.1858
0.2013
0.2311
0.2635
0.2953
-149.14
-159.75
-172.49
173.09
156.04
135.54
109.56
77.04
42.24
9.94
-14.73
-35.41
-51.98
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
-3
.0
S[1,1]
EIC7785-4
2.6409
2.7534
2.8842
2.9901
3.0911
3.152
3.1785
3.1614
3.0973
3.0181
2.9014
2.7724
2.6626
-4
.0
-5 .
0
2
-0 .
SWP敏
7.5GHz
MAG
-10.0
0.
4
0
3.
10
0
4.
0
DB(|S[2,1]|)
EIC7785-4
DB(|S[1,2]|)
EIC7785-4
10 .0
-10
-20
-30
7.5
7.8
8.1
频率（GHz ）
8.4
8.7
--- S21 ---
昂
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
-81.54
-93.4
-105.71
-118.6
-132.17
-146.09
-159.96
-174.31
171.66
157.94
144.33
131.4
119.31
0.0862
0.0948
0.1006
0.1076
0.1154
0.1203
0.1233
0.1262
0.1277
0.1256
0.1242
0.1232
0.1178
-138.31
-149.69
-161.26
-174.38
172.85
159.84
146.34
132.54
118.21
105.29
92.6
79.73
66.75
0.5314
0.5287
0.5183
0.5005
0.4752
0.4444
0.4117
0.3812
0.3633
0.3511
0.3517
0.3594
0.3726
32.49
20.36
7.57
-6.22
-21.19
-37.73
-56.07
-75.72
-96.19
-117.08
-137.38
-155.44
-171.45
第2页4
修订后的2007年10月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
