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EIB1415-0.3P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EIB1415-0.3P
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内容描述: 14.0-14.5 GHz的0.3瓦内部匹配功率场效应管 [14.0-14.5 GHz 0.3-Watt Internally Matched Power FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 80 K
品牌: EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
   
EIB1415-0.3P
已更新2006年8月31日
14.0-14.5 GHz的0.3瓦内部匹配功率场效应管
0.080
Excelics
EIB1415-0.3P
0.080
0.020
0.250
特点
14.0- 14.5GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩26.0 dBm的输出功率
8.0分贝功率增益1dB压缩
32 %的功率附加效率
非 - 金属密封法兰套餐
0.433 0.362
YYWW
SN
0.070
0.256
0.200
0.004
0.051
0.025
0.100
以英寸所有尺寸
电气特性(T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
∆G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
F = 14.0-14.5GHz
V
DS
= 8 V,I
DSQ
120mA
增益1dB压缩
F = 14.0-14.5GHz
V
DS
= 8 V,I
DSQ
120mA
增益平坦度
F = 14.0-14.5GHz
V
DS
= 8 V,I
DSQ
120mA
在1dB压缩功率附加效率
F = 14.0-14.5GHz
V
DS
= 8 V,I
DSQ
120mA
漏电流在1dB压缩
F = 14.0-14.5GHz
输出3阶互调失真
∆f=10MHz
2音测试。 POUT = 14.0 dBm的S.C.L
VDS = 8 V,I
DSQ
65% I
DSS
F = 14.5GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
3
2 ) S.C.L. =单载波电平。
注意! ESD敏感器件。
24.0
7.0
典型值
26.0
8.0
最大
单位
DBM
dB
±0.6
32
130
-43
-46
210
-2.0
55
300
-3.5
60
o
dB
%
150
mA
dBc的
mA
V
C / W
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V,I
DS
= 2.0毫安
注: 1 )测试与200欧姆的栅极电阻。
3 )整体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定值
1,2
符号
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
12
-5
3.6mA
-0.6mA
24.0dBm
175 C
o
-65到+175 ç
o
连续
2
8V
-4V
1.2mA
-0.2mA
@ 3分贝压缩
175 C
-65到+175
o
C
2.5W
o
VDS
VGS
Igsf
Igsr
总胆固醇
TSTG
Pt
2.5W
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道,桑尼维尔,CA 94085
电话: 408-737-1711传真: 408-737-1868网址:
www.excelics.com
第1页1
修订后的2006年8月