EIA7785-2
已更新2006年11月16日
7.70-8.50GHz 2瓦内部匹配功率场效应管
特点
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7.70- 8.50GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩+34 dBm的输出功率
12.5分贝功率增益1dB压缩
33 ％的功率附加效率
全封闭金属法兰包装
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
.060 MIN 。
.650±.008 .512
EIA7785-2
门
Excelics
YYWW
.060 MIN 。
漏
.319
.022
SN
.094
.382
.004
.129
.070 ±.008
.045
以英寸所有尺寸
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
∆G
PAE
Id
1dB
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 7.70-8.50GHz
V
DS
= 8V ，我
DSQ
≈
800mA
增益1dB压缩
F = 7.70-8.50GHz
V
DS
= 8V ，我
DSQ
≈
800mA
增益平坦度
F = 7.70-8.50GHz
V
DS
= 8V ，我
DSQ
≈
800mA
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 8V ，我
DSQ
≈
800mA
F = 7.70-8.50GHz
漏电流在1dB压缩F = 7.70-8.50GHz
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
2
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 14毫安
注意！ ESD敏感器件。
民
33.0
11.5
典型值
34.0
12.5
±0.6
33
900
1400
-1.0
10
1100
1800
-2.5
11
o
最大
单位
DBM
dB
dB
%
mA
mA
V
C / W
注： 1。测试与100欧姆的栅极电阻。
2.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定值
1,2
符号
参数
绝对
1
连续
2
V
DS
V
GS
Igsf
Igsr
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
12
-5
21.6mA
-3.6mA
33dBm
175
o
C
-65到+175
o
C
13W
8V
-3V
7.2mA
-1.2mA
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65到+175
o
C
13W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
第1页2
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订后的2006年11月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
