EFE960BVR-5759
已更新2006年10月26日
5.70-5.90GHz 4瓦部分匹配功率场效应管
特点
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5.70-5.90 GHz的带宽
在1dB压缩36.0 dBm的输出功率
9.0分贝功率增益1dB压缩
25 ％的功率附加效率
-46 dBc的IM3宝= 24.5 dBm的SCL
非气密180军用金属法兰套餐
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
电动
特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
注意事项：
注意！ ESD敏感器件。
民
35.0
8.0
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
增益1dB压缩
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
F = 5.8GHz的
F = 5.8GHz的
典型值
36.0
9.0
25
1300
最大
单位
DBM
dB
%
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1100mA
F = 5.8GHz的
漏电流在1dB压缩
F = 5.8GHz的
输出3阶互调失真
2
∆f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 24.5 dBm的S.C.L
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
F = 5.8GHz的
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
3
1400
mA
dBc的
-43
-46
2000
-2.5
5.5
2500
-4.0
6.0
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 20毫安
mA
V
o
C / W
1. FET被测试在EXCELICS评估板。
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
数据是指包装的边缘。
最大额定值在25
O
C
符号
V
DS
V
GS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
逆转栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
15V
-5V
43.2毫安
-7.2毫安
33 dBm的
175 C
o
-65/175 C
o
连续
2
10V
-4.5V
14.4毫安
-2.4毫安
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65/175
o
C
25W
25W
注意事项：
1.
操作设备以外的任何上述的评分可能导致永久性损坏或减少平均无故障时间。
2.
偏置条件也必须满足下面的等式P
T
< （T
CH
–T
PKG
)/R
TH
;其中t
PKG
包=温度，并
P
T
= (V
DS
* I
DS
) – (P
OUT
– P
IN
).
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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修订后的2006年11月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
