EFC240B-180F
2006年10月4日签发
低失真功率的GaAs FET
特点
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•
•
非密封180MIL金属法兰包装
31.0 dBm的典型输出功率
16.5分贝典型功率增益为2GHz
0.3× 2400 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
注意！ ESD敏感器件。
民
29.0
15.0
典型值
31.0
31.0
16.5
11.5
40
320
200
520
280
-2.5
-18
-10
-20
-17
22*
o
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
th
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
F = 4GHz的
V
DS
= 10 V，I
DS
≈
50% I
DSS
增益1dB压缩
F = 2GHz的
F = 4GHz的
V
DS
= 10 V，I
DS
≈
50% I
DSS
在1dB压缩功率附加效率
F = 2GHz的
V
DS
= 10 V，I
DS
≈
50% I
DSS
饱和漏极电流
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
热阻
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 6毫安
I
GD
= 2.4毫安
I
GS
= 2.4毫安
最大
单位
DBM
dB
%
720
mA
mS
-4.0
V
V
V
C / W
*整体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
V
DS
V
GS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
15V
5V
10.8mA
-1.8mA
29dBm
175
o
C
-65/175
o
C
6W
连续
2
10V
-4.5V
3.6mA
-0.6mA
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65/175
o
C
6W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订后的2006年10月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
