EFA960CR-CP083
已更新2006年5月19日
低失真功率的GaAs FET
.290±0.005
2X .065
±.015
.075
.220 .200
.050
.160
.096
0.010最大
特点
•
•
•
•
•
•
非密封表面贴装
160MIL金属陶瓷封装
+ 36.0dBm输出功率
15.5分贝典型功率增益在2 GHz
0.5x9600 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结PROFLIE
提供了额外的高功率效率和高
可靠性
.008±0.001
以英寸所有尺寸
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
TH
*
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=
VDS = 8 V ， IDS = 50 ％的Idss
f=
增益1dB压缩
f=
VDS = 8 V ， IDS = 50 ％的Idss
f=
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8 V ， IDS = 50 ％的Idss
f=
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
热阻
2.0 GHz的
4.0 GHz的
2.0 GHz的
4.0 GHz的
2.0 GHz的
注意！ ESD敏感器件。
民
34.5
14.0
典型值
36.0
36.0
15.5
10.5
30
1600
1100
2720
1450
-2.0
-13
-7
-15
-14
6*
o
最大
单位
DBM
dB
%
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 27毫安
I
GD
= 9.6毫安
I
GS
= 9.6毫安
3520
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
注意事项：
*
总体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
VDS
VGS
Igsf
Igsr
针
总胆固醇
TSTG
Pt
参数
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
1
10V
-5V
43.2毫安
-7.2毫安
33 dBm的
175
o
C
-65/175
o
C
23 W
连续
2
8V
-4V
14.4毫安
-2.4毫安
@ 3分贝压缩
175
o
C
-65/175
o
C
23 W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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修订2006年5月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
