Excelics
数据表
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+ 34.0dBm典型输出功率
18.0分贝典型功率增益为2GHz
0.5 X 4800 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化和镀HEAT SINK
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序80毫安PER BIN范围
75
S
100
EFA480C
低失真功率的GaAs FET
680
104
160
D
D
72
620
155
G
S
G
S
94
120
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
F = 2GHz的
F = 4GHz的
F = 2GHz的
F = 4GHz的
F = 2GHz的
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
民
32.0
16.0
典型值
34.0
34.0
18.0
12.5
40
最大
单位
DBM
dB
%
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， IDS = 10毫安
800
560
1360
720
-2.0
1760
mA
mS
-3.5
V
V
V
o
漏极耐压IGD = 4.8毫安
源极击穿电压的Ig = 4.8毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
-12
-7
-15
-14
12
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
VDS
漏源电压
12V
8V
VGS
栅源电压
-8V
-4V
IDS
漏电流
IDSS
1.2A
Igsf
正向栅电流
120mA
20mA
针
输入功率
32dBm
@ 3分贝压缩
o
总胆固醇
通道温度
175 C
150
o
C
TSTG
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
Pt
总功耗
11.4 W
9.5 W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
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