Excelics
初步数据表
EFA480B/EFA480BV
960
50
D
D
156
D
D
48
低失真功率的GaAs FET
•
•
•
•
•
•
•
+ 34.0dBm典型输出功率
6.0分贝典型功率增益EFA480B和
7.5分贝FOR EFA480BV AT 12GHz的
0.5X 4800 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
EPA480BV带通孔源极接地
IDSS排序80毫安PER BIN范围
420
40
95
G
120
G
45
G
G
110
芯片厚度： 60
±
10微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
参数/测试条件
民
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
在1dB压缩输出功率
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
增益1dB压缩
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
f=8GHz
f=12GHz
f=8GHz
f=12GHz
f=12GHz
800
560
32.0
4.5
:
通孔
任何通过孔EFA480B
EFA480B
典型值
34.0
34.0
10.0
6.0
32
1360
720
-2.0
-12
-7
-15
-14
10
-3.5
-12
-7
1760
800
560
最大
民
32.0
5.0
EFA480BV
典型值
34.0
34.0
12.0
7.0
36
1360
720
-2.0
-15
-14
8
-3.5
1760
最大
单位
DBM
dB
%
mA
mS
V
V
V
o
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， IDS = 10毫安
漏极耐压IGD = 4.8毫安
源极击穿电压的Ig = 4.8毫安
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
C / W
最大额定值在25
O
C
符号
参数
EFA480B
绝对
1
EFA480BV
2
连续
8V
-3V
1.4A
20mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
11W
绝对
1
12V
-8V
IDSS
120mA
32dBm
175
o
C
-65/175
o
C
17W
连续
2
8V
-3V
1.75A
20mA
@ 3分贝
压缩
150
o
C
-65/150
o
C
14W
VDS
VGS
IDS
Igsf
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
12V
-8V
IDSS
120mA
32dBm
175
o
C
-65/175
o
C
14W
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网址： www.excelics.com
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
