Excelics
数据表
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非常高的fmax ： 100GHz的
+ 18.5dBm典型输出功率
11.5分贝典型功率增益为12 GHz
典型1.1分贝的噪声系数和相关的10.5分贝
增益为12 GHz
0.3 ×180 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延掺杂分布
可提供高功率效率，
线性度和可靠性
IDSS排序5毫安PER BIN范围
EFA018A
低失真功率的GaAs FET
320
60
D
68
154
290
50
S
G
S
70 80 90
芯片厚度： 75
±
13微米
以微米所有尺寸
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
Ga
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
f=12GHz
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
增益1dB压缩
f=12GHz
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
f=18GHz
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 6V ， IDS = 50 ％的Idss
f=12GHz
噪声系数
f=12GHz
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
相关的增益
f=12GHz
VDS = 2V ，IDS = 15毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 1.0毫安
Igd=0.5mA
Igs=0.5mA
-10
-7
民
16.5
9.5
典型值
18.5*
18.5*
11.5
9.5
35
1.1
10.5
25
20
50
30
-2.0
-15
-14
185
o
最大
单位
DBM
dB
%
dB
dB
80
mA
mS
-3.5
V
V
V
C / W
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
*P
1dB
= 19.5dBm可以与8V / 50％的Idss偏压来获得。咨询工厂的晶圆选择。
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
12V
6V
VDS
栅源电压
-8V
-4V
VGS
漏电流
IDSS
IDSS
IDS
正向栅电流
4mA
0.7mA
Igsf
输入功率
17dBm
@ 3分贝压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
740mW
625mW
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司， 2908斯科特大道，圣克拉拉， CA 95054
电话： （ 408 ） 970-8664传真： （ 408 ） 970-8998网站：
www.excelics.com
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