EUP9261
应用电路
Figure2.
符号
零件
N沟道
MOSFET
用途
推荐
分钟。
马克斯。
备注
阈值电压
≤
过放电
检测电压* 1
栅极至源极耐压
≥
充电电压* 2
阈值电压
≤
过放电
检测电压* 1
栅极至源极耐压
≥
充电电压* 2
电阻应尽可能小，
能够避免降低的
过充电检测精度造成的
由VDD引脚的电流。 * 3
安装的0.022μF或更高的电容器
与VDD和VSS 。 * 4
选择电阻尽可能大
为了防止电流时，由于充电器的
接反。 * 5
FET1
充电控制
--
--
--
FET2
N沟道
MOSFET
放电控制
--
--
--
R1
电阻器
ESD保护
对于功率波动
对于功率波动
对于保护
反向连接
一个充电器的
470Ω
300Ω
1kΩ
C1
R2
电容
电阻器
0.1µF
2kΩ
0.022µF
300Ω
1.0µF
4kΩ
*1
如果一个电子转帐的阈值电压低时，FET可以不切断充电电流。
如果一个FET的阈值电压等于或高于过放电检测电压时，放电可以被采空
前过放电检测。
*2
如果栅极和源极之间的耐电压在充电器的电压低时，FET可能会破坏。
*3
如果R1具有较高的电阻， VDD和VSS之间的电压可能超过绝对最大额定值时，充电器
因为从充电器到IC的电流流过接反。
插入300Ω的或更高的电阻为R1的ESD保护。
*4
如果小于0.022μF电容器安装为C1 ，当检测到负载短路， DO有可能发生振荡。
一定要安装0.022μF的电容等于或高于C1 。
*5
如果R 2具有比4KΩ更高的电阻，将充电电流时，可能无法高电压充电器被连接切断。
备注
小心
在DP端子应该是开放的。
上述连接图以及参数并不作为保证电路工作。通过进行评价
使用的实际应用来设置恒定。
DS9261 Ver2.4 2007年1月
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EUTECH [ EUTECH MICROELECTRONICS INC ]
