Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Zieldaten
D 3041N
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperr verzögerungsladung
VR = 1000V, Tvj = Tvj max
Qr
recovered charge
C = 1µF, R = 22Ω
Thermische Eigenschaften
iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
max.
max.
11 mAs
Rückstr omspitze
peak reverse r ecover y c urrent
IRM
Mechanische Eigenschaften
VR = 1000V, Tvj = Tvj max
C = 1µF, R = 22Ω
iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
300
A
Sperr verzögerungsladung
recovered charge
Qr
VR = 100V, Tvj = Tvj max
C = 1µF, R = 22Ω
iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
typ.
typ.
9
mAs
A
Rückstr omspitze
peak reverse r ecover y c urrent
IRM
VR = 100V, Tvj = Tvj max
C = 1µF, R = 22Ω
iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
240
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided, θ = 180°sin
beids eitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
RthJ C
max. 0,00855 °C/W
max. 0,0075 °C/W
max. 0,0133 °C/W
max. 0,0172 °C/W
Kathode / c athode, DC
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided
Übergangs-Wärmewi derstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
max.
max.
°C/W
°C/W
0,0025
0,005
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maxi mum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
160 °C
Betriebs temperatur
operating temperature
-40...+160 °C
-40...+160 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, s ee annex
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Si-Element mit Druc kkontakt
Si-pellet with press ure contac t
76DNE68
36...53 kN
1200
Anpress kraft
clampi ng force
F
Gewicht
weight
G
typ.
g
Kriechstrecke
33 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
f = 50 Hz
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