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扩展模式寄存器设置( EMRS )
EM6A9160TSA
扩展模式寄存器设置存储数据用于启用或禁用的DLL ,并选择输出驱动强度。
扩展模式寄存器的默认值是没有定义,所以必须写上电后正常
操作。扩展模式寄存器写的是断言低
CS
,
RAS
,
CAS
和
WE
。 A0的状态,
A2 〜 A5, A7 〜 A11and BA1被写入到模式寄存器中相同的周期
CS
,
RAS
,
CAS
和
WE
变低。
在DDR SDRAM应在所有银行预充电与CKE已经写入扩展模式之前高
注册。 A1和A6用于驱动强度设置为正常,弱或匹配阻抗。两个时钟周期
需要填写在扩展模式寄存器的写操作。的模式寄存器的内容可以是
用操作期间相同的命令和时钟周期的要求,只要所有的银行都在改变
空闲状态。 A0是用于DLL使能或禁用。 "High"上BA0用于EMRS 。请参阅下表为具体
码。
表11.扩展模式寄存器的位图
BA1 BA0 A11 A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址栏
0
1
RFU必须设置为“0”的
DS1中的RFU必须设置为“0”的DS0的DLL扩展模式寄存器
BA0模式
0
太太
1
EMRS
A6 A1
驱动强度
评论
0
0
满
0
1
弱
1
0
俄罗斯足协
保留为将来
1
1匹配阻抗输出驱动器阻抗相匹配
A0
0
1
DLL
启用
关闭
钰创机密
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修订版1.1
2009年8月