EtronTech
T0
CLK
银行，
柱A
T1
T2
地址
4M ×32 LPSDRAM
T3
T4
T5
T6
EM6A9325
T7
T8
BANK （S ）
银行，
ROW
t
RP
命令
读了
NOP
NOP
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
读预充电（ CAS ＃延迟= 2 ， 3 ）
5
阅读和AutoPrecharge命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "H" ， BS =银行， A10 = "H" ， A0 - A7 =列地址）
读取和AutoPrecharge命令后，自动进行预充电操作
读出操作。一旦指令下达后，任何后续命令可以在一个不会出现
对【T时间延迟
RP
（分钟） +突发长度} 。在整页突发，在此只进行读操作
命令和自动预充电功能被忽略。
写命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， BS =银行， A10 = "L" ， A0 - A7 =列地址）
写命令用于从活动写了一阵连续的时钟周期数据
排在一个活跃的银行。银行必须至少激活吨
RCD
（分钟）的写命令前，
发行。在写连发，第一个有效数据的元素将被注册暗合了写
命令。随后的数据元素将在每个连续的时钟上升沿注册
（参见下图） 。 DQS的保持高阻抗突发除非结束
另一个命令被启动。突发长度和突发序列是由模式决定
寄存器，它已经设定。一个全页突发将持续到结束（在年底
该页面就会换到第0列，并继续） 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
6
COM命令
NOP
写一个
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ0 - DQ3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
不关心
所述第一数据元和所述写
被登记在同一个时钟边缘。
额外的数据被屏蔽。
突发写操作（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 1 ， 2 ， 3 ）
没有AutoPrecharge功能的写突发可以通过后续的写中断，
BankPrecharge / PrechargeAll ，或突发长度结束前读命令。中断
从写命令来可以按照以前的写命令出现在任何时钟周期
（参见下图） 。
初步
9
修订版0.4
2003年6月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
