EtronTech
T0
T1
T2
CLK
DQM
4M ×32 LPSDRAM
T3
T4
T5
T6
EM6A9325
T7
T8
COM命令
NOP
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
DQ 'S
DOUT A0
必须是高阻前
写命令
DI NB 0
DINB1
DI NB 2
: "H"或"L"
读到写的时间间隔(突发长度
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
1间隔的Clk
DQM
命令
NOP
NOP
班卡
激活
NOP
读了
CAS #延迟= 2
TCK2 , DQ的
: "H"或"L"
读到写的时间间隔(突发长度
≥
4 , CAS#延迟= 2 )
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
命令
CAS #延迟= 2
TCK2 , DQ的
NOP
NOP
读了
NOP
NOP
: "H"或"L"
读到写的时间间隔(突发长度
≥
4 , CAS#延迟= 2 )
爆没有自动预充电功能的读取可以通过BankPrecharge /中断
PrechargeAll命令相同的银行。下图显示的最佳时间
BankPrecharge / PrechargeAll命令在不同的CAS #延迟发出。
初步
8
≧
4 , CAS#延迟= 3 )
T5
T6
T7
T8
写一个
NOP
NOP
NOP
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
写B
NOP
NOP
NOP
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
修订版0.4
2003年6月