ETR onTech
直流特性
参数&测试条件
4Mx32 DDR SDRAM
EM6A9320
4
5
(V
DD
= 2.8V
±
350 5 ％ ， 333 ， 300或285MHz ，V
DD
=2.5
±
250或200MHz的，T 5 ％
A
= 0~70
°C)
符号
2.8 3.0 3.3 3.5
最大
单位注
工作电流：
一家银行;主动预充电;
t
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ; DQ ， DM和DQS输入
每个时钟周期改变一次;地址和控制输入
改变每两个时钟周期。
工作电流：
一家银行;主动 - 读 -
预充电; BL = 4; CL = 4; tRCDRD = 4 * T
CK
; t
RC
=t
RC
（分钟） ;
t
CK
=t
CK
（分钟） ;糊涂人= 0毫安;地址和控制输入
每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机电流：
所有银行闲置;掉电模式;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
CKE =低
IDLE STANDLY CURRENT ：
CKE =高;
CS ＃ = HIGH （取消选择） ;所有银行闲置;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
V
IN
=V
REF
针对DQ ， DQS和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：
一
银行主动;掉电模式; CKE =低;吨
CK
=t
CK
（分钟）
主动待机电流：
CS ＃ =高; CKE =高;
一家银行主动;吨
RC
=t
RC
（最大值） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;地址及
控制输入每个时钟周期改变一次;
DQ ， DQS和DM输入每个时钟周期改变的两倍
工作电流突发读：
BL = 2;上面写到
可连拍;一家银行主动;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
糊涂人= 0毫安; 50％的数据变化对每一个转移
工作电流突发写：
BL = 2;写操作;
可连拍;一家银行主动;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
DQ ， DQS和DM每个时钟周期改变的两倍; 50％的
数据的变化对每一个转移
自动刷新电流：
t
RC
=t
RFC
（分钟） ;
t
CK
=t
CK
（分钟）
自刷新电流：
卖刷新模式;
CKE<=0.2V;t
CK
=t
CK
（分钟）
BURST工作电流4银行操作：
四大行交错读和写; BL = 4 ;具有自动预充电;
t
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;地址和控制
inputschang仅在活动，阅读或写
命令
IDD0
330 320 280 260 180 160毫安
IDD1
450 440 380 360 260 240毫安
IDD2P
50
50
50
50
45
40毫安
IDD2N 100 100 100 100
80
80毫安
IDD3P
50
50
50
50
45
40毫安
IDD3N 140 135 120 110 100百毫安
IDD4R 560 540 480 450 440 420毫安
IDD4W 470 450 400 370 300 270毫安
IDD5
IDD6
430 430 420 410 300 280毫安
4
4
4
4
3
3毫安
IDD7
920 890 780 720 650 550毫安
注意：
1.压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。
2.所有电压参考V
SS
.
3.这些参数取决于循环率，并且这些值都是由循环速率测量
下吨的最小值
CK
和T
RC
。输入信号吨期间一次改变
CK
.
4.电顺序在前面的页中描述。
钰创机密
9
修订版0.3
七月。 2002年
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
