EM6A9320BI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM6A9320BI
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内容描述：	4M ×32 DDR SDRAM [4M x 32 DDR SDRAM]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	17 页 / 354 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

特点

•

快速时钟速率： 250/200/166 MHz的

•

差分时钟CK & CK ＃输入

4Mx32 DDR SDRAM

EM6A9320BI

4M ×32 DDR SDRAM

（启0.9C月/ 2006）

概观

该EM6A9320 DDR SDRAM是高速CMOS

包含128双数据速率同步DRAM

兆比特。它在内部配置为四1M ×32

DRAM与同步接口（所有的信号都

登记在时钟信号CK）的正边缘。

数据输出出现在CK和CK ＃的两个上升沿。

读取和写入访问到SDRAM是迸发

导向;存取开始在一个选定的位置和

持续的地点在一个设定的号码

编程序列。

访问开始用BankActivate的注册

命令，然后接着读或写

命令。

该EM6A9320提供可编程的读或写

第2，第4 ，第8和整页突发长度。自动预充电

功能可被使能，以提供一个自定时排

预充电在脉冲串的末端被启动，它将

序列。

刷新功能，自动或自刷新都

易于使用。

此外， EM6A9320具有可编程的DLL

选项。通过具有可编程的模式寄存器和

扩展模式寄存器中，该系统可以选择

最适合的模式，以最大限度地发挥其性能。

这些器件非常适合需要的应用

高内存带宽，导致设备特别

非常适合于高性能的主存储器和

图形应用程序。

•

4双向DQS 。两个数据处理

DQS的边缘（ 1DQS /字节）

•

DLL对齐DQ和DQS转换

•

边沿对齐的数据& DQS输出

•

中心对齐数据& DQS输入

•

4内部银行， 1M ×32位的每家银行

•

可编程的模式和扩展模式

- CAS延迟： 2 ， 2.5 ， 3 ， 4

- 突发长度： 2 ， 4 ，8和全页

- 突发类型：顺序&交错

•

整页突发长度为连续型只

•

全页突发起始地址应该是偶数

•

除了DQ的& DM的所有输入为正

在系统时钟的边沿

•

不写打断阅读功能

•

4个人DM的控制只写屏蔽

•

自动刷新和自刷新

•

4096刷新周期/ 32ms的

•

电源：

= 2.5V

DDQ

= 2.5V

•

接口： SSTL_2 I / O兼容

•

标准的144球FBGA封装

•

无铅封装所属行业是

订购信息

产品型号

EM6A9320BI-4M

EM6A9320BI-4MG

EM6A9320BI-5M

EM6A9320BI-5MG

EM6A9320BI-6M

EM6A9320BI-6MG

G：表示无铅封装。

频率

250MHz

200MHz

166MHz

电源包装

FBGA

2.5V

FBGA

DDQ

2.5V

FBGA

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