欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EM6A9320BI-6MG 参数 Datasheet PDF下载

EM6A9320BI-6MG图片预览
型号: EM6A9320BI-6MG
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 4M ×32 DDR SDRAM [4M x 32 DDR SDRAM]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 17 页 / 354 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
 浏览型号EM6A9320BI-6MG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM6A9320BI-6MG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM6A9320BI-6MG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM6A9320BI-6MG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6A9320BI-6MG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM6A9320BI-6MG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM6A9320BI-6MG的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EM6A9320BI-6MG的Datasheet PDF文件第13页  
EtronTech
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
A
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
4Mx32 DDR SDRAM
EM6A9320BI
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
输入,输出电压
电源电压
环境温度
储存温度
焊接温度( 10秒)
功耗
短路输出电流
等级
含铅
无铅
- 0.3 ~ V
DDQ
+0.3
-0.3 ~ 3.6
0~70
- 55~150
240
260
2.0
50
注:压力大于下"Absolute最大Ratings" ,可能导致设备的永久损坏。
建议的直流工作条件( SSTL_2输入/输出, TA = 0 〜 70
°C)
符号
参数
V
DD
电源电压
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH( DC)的
V
IL ( DC )
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
电源电压( I / O)
输入参考电压
终止电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
分钟。
2.375
2.375
0.49 x垂直
DDQ
V
REF
– 0.04
V
REF
+ 0.15
VSSQ - 0.3
V
tt
+ 0.76
-
-5
-5
典型值。
2.5
2.5
-
V
REF
-
-
-
-
-
-
马克斯。
2.625
2.625
0.51 x垂直
DDQ
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
-
V
tt
- 0.76
5
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
I
OH
= -15.2毫安
I
OL
= 15.2毫安
注意:在所有条件VDDQ必须小于或等于VDD。
电容( VDD = 2.5V , F = 1MHz时, TA = 25
°C)
参数
输入电容( A0 〜 A11 , BA0 , BA1 )
输入电容( CK , CK # , CKE , CS # , RAS # , CAS # , WE# )
DQ & DQS输入/输出电容
DM0 〜 DM3输入/输出电容
注:这些参数是周期性采样,不100 %测试。
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
C
IN3
分钟。
4
3
6
6
马克斯。
5
5
8
8
单位
pF
pF
pF
pF
9
冯0.9C
2006年5月