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EM6A9320_06 参数 Datasheet PDF下载

EM6A9320_06图片预览
型号: EM6A9320_06
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内容描述: 4M ×32 DDR SDRAM [4M x 32 DDR SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 17 页 / 363 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
符号
参数
4Mx32 DDR SDRAM
3.6
最大
4.0
最小最大
5.0
最大
单位
EM6A9320
10
10
10
0.55
0.55
0.7
0.7
0.45
1.1
0.6
1.15
-
-
0.6
0.6
0.6
-
-
-
-
-
t
CK
t
CH
t
CL
t
DQSCK
t
AC
t
DQSQ
t
RPRE
t
RPST
t
DQSS
t
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WPREH
t
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t
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t
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t
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RP
t
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tw
R
t
CDLR
t
CCD
t
MRD
t
DAL
t
XSA
t
PDEX
t
REF
时钟周期时间
时钟高电平宽度
时钟低电平宽度
CL = 3
CL = 4
CL = 5
3.6
3.6
3.6
0.45
0.45
-0.6
-0.6
-
0.9
0.4
0.85
0
0.35
0.4
0.4
0.4
0.9
0.9
0.4
0.4
tCLmin
or
tCHmin
10
10
5
0.55
0.55
0.6
0.6
0.4
1.1
0.6
1.15
-
-
0.6
0.6
0.6
-
-
-
-
-
4
4
4
0.45
0.45
-0.7
-0.7
-
0.9
0.4
0.85
0
0.35
0.4
0.4
0.4
0.9
0.9
0.45
0.45
tCLmin
or
tCHmin
10
10
5
0.55
0.55
0.7
0.7
0.4
1.1
0.6
1.15
-
-
0.6
0.6
0.6
-
-
-
-
-
5
5
5
0.45
0.45
-0.7
-0.7
-
0.9
0.4
0.85
0
0.35
0.4
0.4
0.4
1.0
1.0
0.5
0.5
tCLmin
or
tCHmin
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
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ns
ns
ns
ns
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t
CK
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CK
t
CK
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CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
us
从CK , CK # DQS进出时间
从CK , CK #输出访问时间
DQS -DQ歪斜
阅读序言
阅读后同步
CK到有效DQS-中
DQS -的建立时间
DQS -保持时间
DQS写后同步
在高电平脉冲宽度DQS
在低电平脉冲宽度DQS
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入保持时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
时钟半周期
输出DQS有效窗口
行周期时间
刷新行周期时间
行活动时间
RAS #到CAS #延迟读
RAS #到CAS #延迟写
行预充电时间
行有效至行主动延迟
写恢复时间
最后的数据读取命令
上校地址上校地址的延迟
模式寄存器设置循环时间
自动预充电写恢复+预充电
自刷新退出读命令延迟
THP -
0.4
16
18
11
5
3
3
3
3
2
1
1
9
200
TIS +
2tCK
-
-
-
100K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7.8
THP -
0.45
15
17
10
5
3
3
3
3
2
1
2
8
200
TIS +
2tCK
-
-
THP -
0.5
12
14
8
4
2
3
2
2
2
1
2
7
200
TIS +
2tCK
-
-
-
100K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7.8
掉电退出时间
刷新间隔时间
-
7.8
12
修订版0.6
五月。 2006年