EtronTech
直流特性
（ VDD = 2.8V
±
5 ％以下，Ta = 0〜70
°C)
4Mx32 DDR SDRAM
EM6A9320
4
5
参数&测试条件
工作电流：
一家银行;主动 -
预充电;吨
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ; DQ ， DM和
DQS输入每个时钟周期改变一次;地址
和控制输入一次改变每两个时钟
周期。
工作电流：
一家银行;主动 - 读 -
预充电; BL = 4; CL = 4; tRCDRD = 4 * T
CK
;
t
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;糊涂人= 0毫安;地址
控制输入每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机
当前位置：
所有银行闲置;掉电模式;
t
CK
=t
CK
（分钟） ; CKE =低
IDLE STANDLY CURRENT ：
CKE =高;
CS ＃ = HIGH （取消选择） ;所有银行闲置;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
地址和控制输入每个时钟改变一次
周期; V
IN
=V
REF
针对DQ ， DQS和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：
一
银行主动;掉电模式; CKE =低;
t
CK
=t
CK
（分钟）
主动待机电流：
CS ＃ =高; CKE =高;一家银行主动;
t
RC
=t
RC
（最大值） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ，地址和控制输入
每个时钟周期改变一次; DQ ， DQS ，和DM
输入每个时钟周期改变的两倍
工作电流突发读：
BL=2;
上面写到可连拍;一家银行主动;地址
和控制输入变化的每时钟周期一次;
t
CK
=t
CK
（分钟） ;糊涂人= 0毫安; 50％的数据在不断变化
每次传输
工作电流突发写：
BL=2;
写操作;可连拍;一家银行主动;地址
和控制输入变化的每时钟周期一次;
t
CK
=t
CK
（分钟） ; DQ ， DQS ，和DM每更换两次
时钟周期;数据的变化对每一个转移的50 ％
自动刷新电流：
t
RC
=t
RFC
（分钟） ;
t
CK
=t
CK
（分钟）
自刷新电流：
卖刷新模式;
CKE<=0.2V;t
CK
=t
CK
（分钟）
BURST工作电流4银行操作：
四大行交错读和写; BL = 4 ;具有自动
预充电;吨
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;地址
只有在控制inputschang活动，阅读或
写命令
符号
2.8 3.0 3.3 3.5 3.6
最大
单位
IDD0
330 320 280 260 250 180 160毫安
IDD1
450 440 380 360 340 260 240毫安
IDD2P
50
50
50
50
50
45
40毫安
IDD2N 100 100 100 100 100
80
80毫安
IDD3P
50
50
50
50
50
45
40毫安
IDD3N 140 135 120 110 110 100 100毫安
IDD4R 560 540 480 450 450 440 420毫安
IDD4W 470 450 400 370 360 300 270毫安
IDD5
IDD6
430 430 420 410 390 300 280毫安
4
4
4
4
4
3
3毫安
IDD7
920 890 780 720 710 650 550毫安
注意：
1.压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。
2.所有电压参考V
SS
.
3.电顺序在前面的页中描述。
9
修订版0.6
五月。 2006年
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
