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    EM6A9160TS-3.3G 参数 Datasheet PDF下载

    EM6A9160TS-3.3G图片预览
    型号： EM6A9160TS-3.3G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8M ×16的DDR同步DRAM （SDRAM）的 [8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 29 页 / 275 K
    品牌： ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号EM6A9160TS-3.3G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM6A9160TS-3.3G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM6A9160TS-3.3G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6A9160TS-3.3G的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM6A9160TS-3.3G的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM6A9160TS-3.3G的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EM6A9160TS-3.3G的Datasheet PDF文件第13页浏览型号EM6A9160TS-3.3G的Datasheet PDF文件第14页  
    EtronTech
    绝对最大额定值
    符号
    V
    IN
    , V
    OUT
    V
    DD
    , V
    DDQ
    T
    OPR
    T
    英镑
    T
    SOLDER
    P
    D
    I
    OUT
    项
    8Mx16 DDR SDRAM
    EM6A9160
    等级
    -3.3/3.6/4/5
    -3.3G/3.6G/4G/5G
    单位
    V
    V
    °C
    °C
    260
    °C
    W
    mA
    记
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    输入，输出电压
    电源电压
    工作温度
    储存温度
    焊接温度
    功耗
    短路输出电流
    - 0.3~ V
    DD
    + 0.3
    - 0.3~3.6
    0~70
    - 55~150
    245
    1
    50
    建议的直流工作条件（大= 0 〜 70
    °C)
    参数
    电源电压
    电源电压（ I / O缓冲器）
    输入参考电压
    终止电压
    输入高电压（ DC ）
    输入低电压（DC）的
    输入电压电平， CLK和CLK ＃
    输入
    输入漏电流
    输出漏电流
    输出高电压
    输出低电压
    符号
    V
    DD
    V
    DDQ
    V
    REF
    V
    TT
    V
    IH
    （DC）的
    V
    IL
    （DC）的
    V
    IN
    （DC）的
    I
    I
    I
    OZ
    V
    OH
    V
    OL
    分钟。
    2.375
    2.375
    0.49* V
    DDQ
    V
    REF
    - 0.04
    V
    REF
    + 0.15
    -0.3
    -0.3
    -5
    -5
    V
    TT
    + 0.76
    马克斯。
    2.625
    2.625
    0.51* V
    DDQ
    V
    REF
    + 0.04
    V
    DDQ
    + 0.3
    V
    REF
    – 0.15
    V
    DDQ
    + 0.3
    5
    5
    -
    V
    TT
    – 0.76
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    I
    OH
    = -15.2毫安
    I
    OL
    = 15.2毫安
    记
    10
    修订版1.4
    2006年5月

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