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    EM6A8160TSA 参数 Datasheet PDF下载

    EM6A8160TSA图片预览
    型号： EM6A8160TSA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M ×16的DDR同步DRAM （SDRAM）的 [4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 51 页 / 407 K
    品牌： ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号EM6A8160TSA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM6A8160TSA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM6A8160TSA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM6A8160TSA的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6A8160TSA的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM6A8160TSA的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM6A8160TSA的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EM6A8160TSA的Datasheet PDF文件第13页  
    EtronTech
    扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
    EM6A8160TSA
    扩展模式寄存器设置存储数据用于启用或禁用的DLL ，并选择输出驱动
    强度。扩展模式寄存器的默认值是没有定义，所以必须写上电后
    正确操作。扩展模式寄存器写的是断言低
    CS
    ,
    RAS
    ,
    CAS
    和
    WE
    。该
    的A0 〜 A12 ， BA0和BA1状态写入模式寄存器在同一周期
    CS
    ,
    RAS
    ,
    CAS
    和
    WE
    变低。 （该设备应具备所有银行闲置，没有突发的进展之前，写入模式寄存器，
    和CKE应该是很高的） 。 A1用于驱动强度设置为正常，或弱。两个时钟周期都需要
    完成该写操作在扩展模式寄存器。模式寄存器中的内容可以用改变
    运转时的相同的命令和时钟周期的要求，只要所有银行在空闲状态。 A0为
    用于DLL启用或禁用。 "High"上BA0用于EMRS 。请参阅下表为具体的代码。
    表11.扩展模式寄存器的位图
    BA1 BA0 A11 A10
    A9
    A8
    A7
    A6
    A5
    A4
    A3
    A2
    A1
    A0
    地址栏
    0
    1
    RFU必须设置为“0”的
    DS1中的RFU必须设置为“0”的DS0的DLL扩展模式寄存器
    BA0模式
    0
    太太
    1
    EMRS
    A6 A1
    驱动强度
    评论
    0
    0
    满
    0
    1
    弱
    1
    0
    俄罗斯足协
    保留为将来
    1
    1匹配阻抗输出驱动器阻抗相匹配
    A0
    0
    1
    DLL
    启用
    关闭
    钰创机密
    9
    修订版1.2
    2009年4月

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